Semi-conducteurs. Page 142 sur 485. Avtronic

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Affichage 21 articles: FDC6333C à FDP3632 (Page 142 sur 485)

Transistor FDC6333C

2.69€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor FDC6333C N&P-MOS DUAL 30V 2.5A & 2A 0.9W. N&P PowerTrench MOSFET. 0.095R & 0.150R. Constructeur: FAI. Boîtier: SuperSOT-6. Marquage CMS: 333

Tarifs dégressifs

Transistor FDC6420C

2.86€ TTC

131 En stock

Transistor FDC6420C N&P-MOS DUAL 20V 3A & 2.2A 0.9W. N&P PowerTrench MOSFET. 0.07R & 0.125R. Constructeur: FAI. Boîtier: SuperSOT-6. Marquage CMS: 420

Tarifs dégressifs

Transistor FDC642P

3.19€ TTC

31 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 20V. Courant de drain maxi: 4A. Puissance: 1.6W. Résistance passante: 0.045 Ohms. Boîtier: SuperSOT-6. Marquage CMS: 642.

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-P FDC642P-F085

2.91€ TTC

100 En stock

Transistor MOSFET canal-P. Montage en surface (CMS). 20V 4A/20Ap 1.2W. Résistance passante RDSon : 0.0525 Ohms

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-P FDD4141

5.15€ TTC

83 En stock

Transistor MOSFET canal-P. Montage en surface (CMS). 40V 58A/100Ap 69W. Résistance passante RDSon : 0.012 Ohms

Tarifs dégressifs

Transistor FDD5614P

4.48€ TTC

116 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 60V. Courant de drain maxi: 15A. Puissance: 42W. Résistance passante (Rds): 0.076 Ohms. Boîtier: D-PAK (TO-252AA).

Tarifs dégressifs

Transistor FDD5690

5.10€ TTC

2342 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V. Courant de drain maxi: 30A. Puissance: 50W. Rds: 0.023 Ohm. PowerTrench MOSFET. DC/DC Converter. Boîtier: D-PAK (TO-252AA).

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N FDD6612A

4.54€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor MOSFET canal-N. Montage en surface (CMS). 30V 40A/100Ap 52W. Résistance passante RDSon : 0.014 Ohms (11A)

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N FDD6635

3.81€ TTC

82 En stock

Transistor MOSFET canal-N. Montage en surface (CMS). 35V 59A/100Ap 55W. Résistance passante RDSon : 0.016 Ohms (15A)

Tarifs dégressifs

Transistor FDD6672A

9.80€ TTC

258 En stock

Transistor CMS MOSFET canal N 30V 65A. Marquage boîtier: FDD6672A. Boîtier: TO-252 (D-PAK). Vds(max): 30V. Id(@25ºC): 65A. Puissance: 70W. Résistance Rds: 8.2 milliOhms. Power Trench MOSFET.

Tarifs dégressifs

Transistor FDD6685

5.10€ TTC

191 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 40A. Puissance: 52W. Résistance passante (Rds)<0.014 Ohm. Boîtier: D-PAK TO-252AA.

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N FDD770N15A

5.66€ TTC

64 En stock

Transistor MOSFET canal-N. Montage en surface (CMS). 150V 18A/36Ap 57W. Résistance passante RDSon : 0.061 Ohms (11.4A)

Tarifs dégressifs

Transistor FDD8447L

4.20€ TTC

1393 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 40V. Courant de drain maxi: 50A. Puissance: 44W. Rds<0.085 Ohm. PowerTrench MOSFET. Fast Switching. Boîtier: D-PAK (TO-252AA).

Tarifs dégressifs

Transistor FDD8878

3.19€ TTC

25 En stock

Transistor MOSFET canal N CMS 30V 40A 40W 0.011R (11A). Constructeur: Fairchild Semiconductor. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: D-PAK (TO-252). Boîtier: TO-252 (D-PAK). Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 30V. Id(T:25): 40A. Puissance: 40 W. Id(T:100): 11A. Idss (min): 1 uA. Idss (max): 250 uA. Vgs: 20V. Vgs(th

Tarifs dégressifs

Transistor FDH5500

17.81€ TTC

11 En stock

Transistor MOSFET canal N 55V 110A/390Ap 375W 0.0052R (80A). Constructeur: International Rectifier. Code constructeur: FDH5500-F085. Type de boîtier: TO-247. Boîtier: TO247AC. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 55V. Id(T:25): 75A. Puissance: 375 W. Id(T:100): 75A. Idss (min): 1 uA. Idss (max): 250 uA. Vgs: 20V. Vgs(th)

Tarifs dégressifs

Transistor double MOSFET canal-N FDMS9620S

8.12€ TTC

1 En stock

Transistor double MOSFET canal-N. Montage en surface (CMS). 30V 7.5A 2.5W

Tarifs dégressifs

Transistor FDN338P

3.81€ TTC

94 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 20V. Courant de drain maxi: 1.6A. Puissance: 0.5W. Résistance passante: 0.13 Ohms. Boîtier: SOT-23. Marquage CMS: 338.

Tarifs dégressifs

Transistor FDN358P

2.69€ TTC

88 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 1.5A. Puissance: 0.5W. Résistance passante: 0.105 Ohms. Logic Level. Boîtier: SOT-23. Marquage CMS: 358.

Tarifs dégressifs

Transistor FDP18N50

9.24€ TTC

68 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 500V 18A. Boîtier: TO-220AB. Vds(max): 500V. Id(@25ºC): 18A. Puissance: 235W. Résistance Rds: 0.22 Ohms.

Tarifs dégressifs

Transistor FDP2532

14.45€ TTC

156 En stock

Transistor FDP2532 N-MOS 150V 79A 310W 0.016R(56A). N-Channel PowerTrench MOSFET. DC/DC converters and Off-Line UPS. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 150 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 79 A.

Tarifs dégressifs

Transistor FDP3632

14.90€ TTC

5 En stock

Transistor MOSFET canal N 150V 79A 310W 0.016R (56A). Constructeur: Fairchild Semiconductor. Type de boîtier: TO-220. Boîtier: TO220AB. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 150V. Id(T:25): 79A. Puissance: 310 W. Id(T:100): 56A. Id(imp): 80 Ap. Idss (min): 1 uA. Idss (max): 250 uA. Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Vgs(th) max.:

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Transistor FDC6333C

Transistor FDC6333C N&P-MOS DUAL 30V 2.5A & 2A 0.9W. N&P PowerTrench MOSFET. 0.095R & 0.150R. Constructeur: FAI. Boîtier: SuperSOT-6. Marquage CMS: 333

Transistor FDC6420C

Transistor FDC6420C N&P-MOS DUAL 20V 3A & 2.2A 0.9W. N&P PowerTrench MOSFET. 0.07R & 0.125R. Constructeur: FAI. Boîtier: SuperSOT-6. Marquage CMS: 420

Transistor FDC642P

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 20V. Courant de drain maxi: 4A. Puissance: 1.6W. Résistance passante: 0.045 Ohms. Boîtier: SuperSOT-6. Marquage CMS: 642.

Transistor MOSFET canal-P FDC642P-F085

Transistor MOSFET canal-P. Montage en surface (CMS). 20V 4A/20Ap 1.2W. Résistance passante RDSon : 0.0525 Ohms

Transistor MOSFET canal-P FDD4141

Transistor MOSFET canal-P. Montage en surface (CMS). 40V 58A/100Ap 69W. Résistance passante RDSon : 0.012 Ohms

Transistor FDD5614P

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 60V. Courant de drain maxi: 15A. Puissance: 42W. Résistance passante (Rds): 0.076 Ohms. Boîtier: D-PAK (TO-252AA).

Transistor FDD5690

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 60V. Courant de drain maxi: 30A. Puissance: 50W. Rds: 0.023 Ohm. PowerTrench MOSFET. DC/DC Converter. Boîtier: D-PAK (TO-252AA).

Transistor MOSFET canal-N FDD6612A

Transistor MOSFET canal-N. Montage en surface (CMS). 30V 40A/100Ap 52W. Résistance passante RDSon : 0.014 Ohms (11A)

Transistor MOSFET canal-N FDD6635

Transistor MOSFET canal-N. Montage en surface (CMS). 35V 59A/100Ap 55W. Résistance passante RDSon : 0.016 Ohms (15A)

Transistor FDD6672A

Transistor CMS MOSFET canal N 30V 65A. Marquage boîtier: FDD6672A. Boîtier: TO-252 (D-PAK). Vds(max): 30V. Id(@25ºC): 65A. Puissance: 70W. Résistance Rds: 8.2 milliOhms. Power Trench MOSFET.

Transistor FDD6685

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 40A. Puissance: 52W. Résistance passante (Rds)<0.014 Ohm. Boîtier: D-PAK TO-252AA.

Transistor MOSFET canal-N FDD770N15A

Transistor MOSFET canal-N. Montage en surface (CMS). 150V 18A/36Ap 57W. Résistance passante RDSon : 0.061 Ohms (11.4A)

Transistor FDD8447L

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 40V. Courant de drain maxi: 50A. Puissance: 44W. Rds<0.085 Ohm. PowerTrench MOSFET. Fast Switching. Boîtier: D-PAK (TO-252AA).

Transistor FDD8878

Transistor FDH5500

Transistor double MOSFET canal-N FDMS9620S

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Transistor FDN338P

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 20V. Courant de drain maxi: 1.6A. Puissance: 0.5W. Résistance passante: 0.13 Ohms. Boîtier: SOT-23. Marquage CMS: 338.

Transistor FDN358P

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 1.5A. Puissance: 0.5W. Résistance passante: 0.105 Ohms. Logic Level. Boîtier: SOT-23. Marquage CMS: 358.

Transistor FDP18N50

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 500V 18A. Boîtier: TO-220AB. Vds(max): 500V. Id(@25ºC): 18A. Puissance: 235W. Résistance Rds: 0.22 Ohms.

Transistor FDP2532

Transistor FDP2532 N-MOS 150V 79A 310W 0.016R(56A). N-Channel PowerTrench MOSFET. DC/DC converters and Off-Line UPS. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 150 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 79 A.

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